Các yếu tố của Các yếu tố triển khai kỹ thuật của Phương pháp phát hành sau CMOS cho các cấu trúc nhạy cảm chùm tia chéo cho các micrô Vectơ MEMS

Các yếu tố thực hiện kỹ thuật:

5. Để giải quyết vấn đề hoàn thiện giải phóng cấu trúc theo tiền đề tương thích với cmos bằng cách sử dụng quy trình mems, sáng chế đề xuất phương pháp giải phóng sau cmos cho cấu trúc nhạy chùm tia chéo của hydrophone vectơ mems.

6. Sáng chế đạt được thông qua các giải pháp kỹ thuật sau: phương pháp giải phóng cmos sau cấu trúc nhạy cảm với chùm tia chéo định hướng tới hydrophone vectơ mems, bao gồm các bước sau: bước (1) làm sạch hữu cơ chip cmos để loại bỏ tạp chất bề mặt; chọn chip cmos, định hướng tinh thể "100", chất nền loại p, lớp thụ động nitrua silic trong vùng mems bề mặt đã được tạo mẫu trong quy trình cmos.

Liên hệ chúng tôi:

Email: zhang@pride-cnc.com

Điện thoại: cộng với 86-755-23699351

Mob: cộng với 8618666663894